IRL80HS120

MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
IRL80HS120 P1
IRL80HS120 P1
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Infineon Technologies ~ IRL80HS120

品番
IRL80HS120
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 80V 12.5A 6PQFN
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 IRL80HS120
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 80V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 12.5A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 4.5V, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 10µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 7nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 540pF @ 25V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 11.5W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 32 mOhm @ 7.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 6-PQFN (2x2)
パッケージ/ケース 6-VDFN Exposed Pad

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