Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IRL80HS120 |
---|---|
Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 80V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 12.5A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 10µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 4.5V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 540pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 11.5W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 32 mOhm @ 7.5A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 6-PQFN (2x2) |
Paket / Fall | 6-VDFN Exposed Pad |