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| 品番 | IPT60R028G7XTMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 650V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 75A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 4V @ 1.44mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 123nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 4820pF @ 400V |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | 391W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 28 mOhm @ 28.8A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8 |
| パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPT60R028G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 75A HSOF-8 | 0 | 詳細 | |
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IPT60R050G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 44A HSOF-8 | 0 | 詳細 | |
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IPT60R080G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 29A HSOF-8 | 0 | 詳細 | |
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IPT60R102G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 23A HSOF-8 | 0 | 詳細 | |
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IPT60R125G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 20A HSOF-8 | 0 | 詳細 | |
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IPT60R150G7XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 | 464 | 詳細 |