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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPT60R028G7XTMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 650V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 75A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1.44mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 123nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 4820pF @ 400V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 391W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 28 mOhm @ 28.8A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-HSOF-8 |
Paket / Fall | 8-PowerSFN |