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| 品番 | IPS80R1K4P7AKMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 800V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 4A (Tc) |
| 駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） | 10V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 3.5V @ 700µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 10nC @ 10V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | - |
| Vgs（最大） | ±20V |
| FET機能 | Super Junction |
| 消費電力（最大） | 32W (Tc) |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
| 動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Through Hole |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO251-3 |
| パッケージ/ケース | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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IPS80R1K2P7AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 800V COOLMOS TO251-3 | - | 0 | 詳細 |
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