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Numero di parte | IPS80R1K4P7AKMA1 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 700µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (massimo) | ±20V |
Caratteristica FET | Super Junction |
Dissipazione di potenza (max) | 32W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4 Ohm @ 1.4A, 10V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO251-3 |
Pacchetto / caso | TO-251-3 Stub Leads, IPak |