IPL60R385CPAUMA1

MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
IPL60R385CPAUMA1 P1
IPL60R385CPAUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPL60R385CPAUMA1

品番
IPL60R385CPAUMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- IPL60R385CPAUMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPL60R385CPAUMA1
部品ステータス Not For New Designs
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On(Max)@ Id、Vgs 385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 340µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 17nC @ 10V
Vgs(最大) ±20V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 790pF @ 100V
FET機能 -
消費電力(最大) 83W (Tc)
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-VSON-4
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN

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