IPL60R385CPAUMA1

MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
IPL60R385CPAUMA1 P1
IPL60R385CPAUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPL60R385CPAUMA1

Número de pieza
IPL60R385CPAUMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V 9A 4VSON
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
- IPL60R385CPAUMA1 PDF online browsing
Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPL60R385CPAUMA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 385 mOhm @ 5.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 340µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 790pF @ 100V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 83W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor PG-VSON-4
Paquete / caja 4-PowerTSFN

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