IPL60R180P6AUMA1

MOSFET N-CH 600V 4VSON
IPL60R180P6AUMA1 P1
IPL60R180P6AUMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPL60R180P6AUMA1

品番
IPL60R180P6AUMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET N-CH 600V 4VSON
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
IPL60R180P6AUMA1.pdf IPL60R180P6AUMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 IPL60R180P6AUMA1
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 600V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 22.4A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4.5V @ 750µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 44nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 2080pF @ 100V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 176W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 180 mOhm @ 9A, 10V
動作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ PG-VSON-4
パッケージ/ケース 4-PowerTSFN

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