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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IPD122N10N3GATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 100V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 59A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 6V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.5V @ 46µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 35nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 2500pF @ 50V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 94W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 12.2 mOhm @ 46A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-TO252-3 |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |