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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | IPD122N10N3GATMA1 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 100V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 59A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 6V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 46µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2500pF @ 50V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 94W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.2 mOhm @ 46A, 10V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | PG-TO252-3 |
Paket / Fall | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |