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製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | IGT60R190D1SATMA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 600V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 12.5A (Tc) |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.6V @ 960µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
Vgs(最大) | -10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 157pF @ 400V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 55.5W (Tc) |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | PG-HSOF-8-3 |
パッケージ/ケース | 8-PowerSFN |