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品番 | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | 2 N-Channel (Dual) |
FET機能 | Silicon Carbide (SiC) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 50A (Tj) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 22.5 mOhm @ 50A, 15V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5.55V @ 20mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 124nC @ 15V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3680pF @ 800V |
電力 - 最大 | 20mW |
動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
パッケージ/ケース | Module |
サプライヤデバイスパッケージ | AG-EASY1BM-2 |