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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | DF11MR12W1M1B11BPSA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 50A (Tj) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 22.5 mOhm @ 50A, 15V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.55V @ 20mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 124nC @ 15V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3680pF @ 800V |
| Leistung max | 20mW |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | Module |
| Lieferantengerätepaket | AG-EASY1BM-2 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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DF11MR12W1M1B11BOMA1 | Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 50A | - | 490 | Einzelheiten |
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DF11MR12W1M1B11BPSA1 | Infineon Technologies | MOSFET MOD 1200V 50A | - | 490 | Einzelheiten |