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| 品番 | BSZ215CHXTMA1 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N and P-Channel Complementary |
| FET機能 | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 20V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 5.1A, 3.2A |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 1.4V @ 110µA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 419pF @ 10V |
| 電力 - 最大 | 2.5W |
| 動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| パッケージ/ケース | 8-PowerTDFN |
| サプライヤデバイスパッケージ | PG-TSDSON-8-FL |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
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BSZ215CHXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON | 0 | 詳細 |