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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | BSZ215CHXTMA1 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N and P-Channel Complementary |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 5.1A, 3.2A |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.4V @ 110µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 2.8nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 419pF @ 10V |
| Leistung max | 2.5W |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Lieferantengerätepaket | PG-TSDSON-8-FL |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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BSZ215CHXTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON | 0 | Einzelheiten |