BSC0923NDIATMA1

MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
BSC0923NDIATMA1 P1
BSC0923NDIATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ BSC0923NDIATMA1

品番
BSC0923NDIATMA1
メーカー
Infineon Technologies
説明
MOSFET 2N-CH 30V 17A/32A TISON8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
BSC0923NDIATMA1.pdf BSC0923NDIATMA1 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 BSC0923NDIATMA1
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET機能 Logic Level Gate, 4.5V Drive
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 30V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 17A, 32A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 2V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 10nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1160pF @ 15V
電力 - 最大 1W
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-PowerTDFN
サプライヤデバイスパッケージ PG-TISON-8

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