画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | GA100JT12-227 |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | - |
技術 | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 160A |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | - |
Vgs(th)(Max)@ Id | - |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 14400pF @ 800V |
Vgs(最大) | - |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 535W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 10 mOhm @ 100A |
動作温度 | -55°C ~ 175°C (TJ) |
取付タイプ | Chassis Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | SOT-227 |
パッケージ/ケース | SOT-227-4, miniBLOC |