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| Numero di parte | GA100JT12-227 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | - |
| Tecnologia | SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 160A |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 800V |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 535W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 100A |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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GA100-001PD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR TRANSDUCER 0.5-4.5V PCB | 0 | Dettagli | |
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GA100-010WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS DIFF 10" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA100-015WD | TE Connectivity Measurement Specialties | SENSOR PRESS GAUGE 15" H2O 3SIP | 0 | Dettagli | |
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GA100JT12-227 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1200V 160A SOT227 | 80 | Dettagli | |
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GA100JT17-227 | GeneSiC Semiconductor | TRANS SJT 1700V 160A SOT227 | 0 | Dettagli | |
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GA100K6A1B | TE Connectivity Measurement Specialties | NTC THERMISTOR 100K OHM BEAD | - | 671 | Dettagli |
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GA100K6A1IA | TE Connectivity Measurement Specialties | NTC THERMISTOR 100K OHM BEAD | - | 3018 | Dettagli |
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GA100K6MBD1 | TE Connectivity Measurement Specialties | NTC THERMISTOR 100K OHM BEAD | - | 99 | Dettagli |
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GA100K6MCD1 | TE Connectivity Measurement Specialties | NTC THERMISTOR 100K OHM BEAD | - | 101 | Dettagli |
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GA100SCPL12-227E | GeneSiC Semiconductor | SIC PHASE LEG BRIDGE 100A 1.2KV | - | 0 | Dettagli |