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品番 | FQD2N30TM |
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部品ステータス | Obsolete |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 300V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 1.7A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 5nC @ 10V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 130pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±30V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 25W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 3.7 Ohm @ 850mA, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |