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品番 | FQD12N20LTM |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 200V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 9A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 5V, 10V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 21nC @ 5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 1080pF @ 25V |
Vgs(最大) | ±20V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 2.5W (Ta), 55W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 280 mOhm @ 4.5A, 10V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D-Pak |
パッケージ/ケース | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |