FDS3601

MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
FDS3601 P1
FDS3601 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS3601

品番
FDS3601
メーカー
Fairchild/ON Semiconductor
説明
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 FDS3601
部品ステータス Obsolete
FETタイプ 2 N-Channel (Dual)
FET機能 Logic Level Gate
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 1.3A
Rds On(Max)@ Id、Vgs 480 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 153pF @ 50V
電力 - 最大 900mW
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO

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