FDS3601

MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
FDS3601 P1
FDS3601 P1
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Fairchild/ON Semiconductor ~ FDS3601

Numéro d'article
FDS3601
Fabricant
Fairchild/ON Semiconductor
La description
MOSFET 2N-CH 100V 1.3A 8SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article FDS3601
État de la pièce Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 1.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 480 mOhm @ 1.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 153pF @ 50V
Puissance - Max 900mW
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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