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品番 | FDFMA3N109 |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 30V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 2.9A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2.5V, 4.5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1.5V @ 250µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 3nC @ 4.5V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 220pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±12V |
FET機能 | Schottky Diode (Isolated) |
消費電力(最大) | 1.5W (Ta) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 123 mOhm @ 2.9A, 4.5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | 6-MicroFET (2x2) |
パッケージ/ケース | 6-VDFN Exposed Pad |