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| 品番 | EPC2030 |
|---|---|
| 部品ステータス | Active |
| FETタイプ | N-Channel |
| 技術 | GaNFET (Gallium Nitride) |
| ドレイン - ソース間電圧（Vdss） | 40V |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） | 31A (Ta) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds On（Max）@ Id、Vgs | 2.4 mOhm @ 30A, 5V |
| Vgs（th）（Max）@ Id | 2.5V @ 16mA |
| ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs | 18nC @ 5V |
| Vgs（最大） | - |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds | 1900pF @ 20V |
| FET機能 | - |
| 消費電力（最大） | - |
| 動作温度 | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 取付タイプ | Surface Mount |
| サプライヤデバイスパッケージ | Die |
| パッケージ/ケース | Die |
| 画像 | 品番 | メーカー | 説明 | 在庫あり | 見る | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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