EPC2030

GANFET NCH 40V 31A DIE
EPC2030 P1
EPC2030 P1
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EPC ~ EPC2030

Numero di parte
EPC2030
fabbricante
EPC
Descrizione
GANFET NCH 40V 31A DIE
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- EPC2030 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte EPC2030
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 31A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.4 mOhm @ 30A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 16mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 5V
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1900pF @ 20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore Die
Pacchetto / caso Die

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