DMTH6010SCT

MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
DMTH6010SCT P1
DMTH6010SCT P1
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Diodes Incorporated ~ DMTH6010SCT

品番
DMTH6010SCT
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 41V 60V,TO220-3,TU
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
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家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 DMTH6010SCT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 60V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 100A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 36.3nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 1940pF @ 30V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 2.8W (Ta), 125W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 7.2 mOhm @ 20A, 10V
動作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3
パッケージ/ケース TO-220-3

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