DMTH10H005LCT

MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
DMTH10H005LCT P1
DMTH10H005LCT P1
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Diodes Incorporated ~ DMTH10H005LCT

品番
DMTH10H005LCT
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 61V 100V TO220AB
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMTH10H005LCT PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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品番 DMTH10H005LCT
部品ステータス Active
FETタイプ N-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 140A (Tc)
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3.5V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 114nC @ 10V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 3688pF @ 50V
Vgs(最大) ±20V
FET機能 -
消費電力(最大) 187W (Tc)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 5 mOhm @ 13A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
サプライヤデバイスパッケージ TO-220AB
パッケージ/ケース TO-220-3

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