DMHC4035LSDQ-13

MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
DMHC4035LSDQ-13 P1
DMHC4035LSDQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMHC4035LSDQ-13

品番
DMHC4035LSDQ-13
メーカー
Diodes Incorporated
説明
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- DMHC4035LSDQ-13 PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - アレイ
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製品パラメータ

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品番 DMHC4035LSDQ-13
部品ステータス Active
FETタイプ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET機能 Standard
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) 40V
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Rds On(Max)@ Id、Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@ Id 3V @ 250µA
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
電力 - 最大 1.5W (Ta)
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
パッケージ/ケース 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
サプライヤデバイスパッケージ 8-SO

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