DMHC4035LSDQ-13

MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
DMHC4035LSDQ-13 P1
DMHC4035LSDQ-13 P1
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Diodes Incorporated ~ DMHC4035LSDQ-13

Artikelnummer
DMHC4035LSDQ-13
Hersteller
Diodes Incorporated
Beschreibung
MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
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Artikelnummer DMHC4035LSDQ-13
Teilstatus Active
FET Typ 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
FET-Eigenschaft Standard
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 40V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 4.5A (Ta), 3.7A (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 10V, 65 mOhm @ 4.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 5.9nC @ 4.5V, 5.4nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 574pF @ 20V, 587pF @ 20V
Leistung max 1.5W (Ta)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket 8-SO

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