画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。
品番 | C2M1000170J |
---|---|
部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1700V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 5.3A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 20V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 3.1V @ 500µA (Typ) |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 13nC @ 20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 200pF @ 1000V |
Vgs(最大) | +25V, -10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 78W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.4 Ohm @ 2A, 20V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Surface Mount |
サプライヤデバイスパッケージ | D2PAK (7-Lead) |
パッケージ/ケース | TO-263-7 (Straight Leads) |