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品番 | C2M1000170D |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | N-Channel |
技術 | SiCFET (Silicon Carbide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 1700V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 4.9A (Tc) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 20V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 2.4V @ 100µA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | 13nC @ 20V |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 191pF @ 1000V |
Vgs(最大) | +25V, -10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 69W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.1 Ohm @ 2A, 20V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-3 |
パッケージ/ケース | TO-247-3 |