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品番 | LP0701N3-G |
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部品ステータス | Active |
FETタイプ | P-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
ドレイン - ソース間電圧(Vdss) | 16.5V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 500mA (Tj) |
駆動電圧(最大RDSオン、最小RDSオン) | 2V, 5V |
Vgs(th)(Max)@ Id | 1V @ 1mA |
ゲートチャージ(Qg)(Max)@ Vgs | - |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 250pF @ 15V |
Vgs(最大) | ±10V |
FET機能 | - |
消費電力(最大) | 1W (Tc) |
Rds On(Max)@ Id、Vgs | 1.5 Ohm @ 300mA, 5V |
動作温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
取付タイプ | Through Hole |
サプライヤデバイスパッケージ | TO-92 |
パッケージ/ケース | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |