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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | LP0701N3-G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | P-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 16.5V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 500mA (Tj) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 2V, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±10V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 300mA, 5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Through Hole |
Lieferantengerätepaket | TO-92 |
Paket / Fall | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |