SIHF22N60E-E3

MOSFET N-CH 600V 21A TO220
SIHF22N60E-E3 P1
SIHF22N60E-E3 P1
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Vishay Siliconix ~ SIHF22N60E-E3

Numero di parte
SIHF22N60E-E3
fabbricante
Vishay Siliconix
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- SIHF22N60E-E3 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte SIHF22N60E-E3
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 86nC @ 10V
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1920pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) -
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220 Full Pack
Pacchetto / caso TO-220-3 Full Pack

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