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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | SIHF22N60E-E3 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 21A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 180 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 86nC @ 10V |
| Vgs (Max) | - |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 1920pF @ 100V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | - |
| Betriebstemperatur | - |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-220 Full Pack |
| Paket / Fall | TO-220-3 Full Pack |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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SIHF22N60E-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | - | 16261 | Einzelheiten |
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SIHF22N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 21A TO220 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIHF22N65E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 650V 22A TO-220FK | - | 950 | Einzelheiten |
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SIHF23N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 23A TO-220 | - | 0 | Einzelheiten |
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SIHF28N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 28A FULLPAK220 | - | 896 | Einzelheiten |