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| Numero di parte | SI1414DH-T1-GE3 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.8V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±8V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SI1410EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.9A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1411DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 0.42A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1411DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 150V 420MA SC70 | - | 3000 | Dettagli |
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SI1413DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1413DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1413EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1413EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.3A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1414DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 4A SOT-363 | - | 3000 | Dettagli |
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SI1416EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT-363 | - | 12000 | Dettagli |
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SI1417EDH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1417EDH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 2.7A SC-70-6 | - | 0 | Dettagli |
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SI1419DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 200V 0.3A SC70-6 | - | 0 | Dettagli |