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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | SI1414DH-T1-GE3 |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 4A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 1.8V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 15nC @ 8V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 560pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±8V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 1.56W (Ta), 2.8W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhm @ 4A, 4.5V |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | SOT-363 |
Paket / Fall | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |