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| Numero di parte | IRFR24N10D |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | - |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (massimo) | - |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D-Pak |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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IRFR010 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR010TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR010TRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR010TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR010TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR010TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 8.2A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR014PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | - | 2362 | Dettagli |
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IRFR014TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR014TRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | - | 0 | Dettagli |
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IRFR014TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK | - | 0 | Dettagli |