IRFR24N10D

MOSFET N-CH 100V DPAK
IRFR24N10D P1
IRFR24N10D P1
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Vishay Siliconix ~ IRFR24N10D

Numéro d'article
IRFR24N10D
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N-CH 100V DPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- IRFR24N10D PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IRFR24N10D
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C -
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) -
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) -
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur D-Pak
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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