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| Numero di parte | BYG21M-E3/TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Avalanche |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1.5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.6V @ 1.5A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 120ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 1000V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-214AC, SMA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AC (SMA) |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BYG20D M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC | - | 740667 | Dettagli |
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BYG20D R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC | - | 666600 | Dettagli |
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BYG20D-E3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 9000 | Dettagli |
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BYG20D-E3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Dettagli |
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BYG20D-M3/TR | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Dettagli |
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BYG20D-M3/TR3 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A | - | 0 | Dettagli |
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BYG20DHE3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Dettagli |
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BYG20DHE3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Dettagli |
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BYG20DHM3_A/H | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Dettagli |
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BYG20DHM3_A/I | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA | - | 0 | Dettagli |
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BYG20G M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC | - | 740667 | Dettagli |
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BYG20G R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC | - | 592534 | Dettagli |