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Vishay Semiconductor Diodes Division ~ BYG21M-E3/TR

Numéro d'article	BYG21M-E3/TR
État de la pièce	Active
Type de diode	Avalanche
Tension - DC Reverse (Vr) (Max)	1000V
Courant - Rectifié moyen (Io)	1.5A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si	1.6V @ 1.5A
La vitesse	Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr)	120ns
Courant - Fuite inverse @ Vr	1µA @ 1000V
Capacitance @ Vr, F	-
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	DO-214AC, SMA
Package de périphérique fournisseur	DO-214AC (SMA)
Température de fonctionnement - Jonction	-55°C ~ 150°C

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
BYG20D M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC	-	740667	Détails
BYG20D R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 200V 1.5A DO214AC	-	666600	Détails
BYG20D-E3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	9000	Détails
BYG20D-E3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	0	Détails
BYG20D-M3/TR	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	0	Détails
BYG20D-M3/TR3	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A	-	0	Détails
BYG20DHE3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	0	Détails
BYG20DHE3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	0	Détails
BYG20DHM3_A/H	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	0	Détails
BYG20DHM3_A/I	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE AVALANCHE 200V 1.5A SMA	-	0	Détails
BYG20G M2G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC	-	740667	Détails
BYG20G R3G	Taiwan Semiconductor Corporation	DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AC	-	592534	Détails