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| Numero di parte | BAS16WS-E3-08 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 75V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 250mA (DC) |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 1µA @ 75V |
| Capacità @ Vr, F | 2pF @ 0V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SC-76, SOD-323 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-323 |
| Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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BAS16 | Panasonic Electronic Components | DIODE GEN PURP 80V 200MA SC59-3 | - | 12000 | Dettagli |
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BAS16 RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 2010383 | Dettagli |
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BAS16,215 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 | 60000 | Dettagli | |
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BAS16,235 | Nexperia USA Inc. | DIODE GEN PURP 100V 215MA SOT23 | 10000 | Dettagli | |
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BAS16-7 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | - | 0 | Dettagli |
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BAS16-7-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23-3 | - | 168000 | Dettagli |
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BAS16-D87Z | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 85V 200MA SOT23-3 | - | 5250 | Dettagli |
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BAS16-E3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 24000 | Dettagli |
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BAS16-E3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAS16-G | Comchip Technology | DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23 | 0 | Dettagli | |
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BAS16-G3-08 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |
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BAS16-G3-18 | Vishay Semiconductor Diodes Division | DIODE GEN PURP 75V 150MA SOT23 | - | 0 | Dettagli |