BAS16-G

DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
BAS16-G P1
BAS16-G P2
BAS16-G P1
BAS16-G P2
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Comchip Technology ~ BAS16-G

Numero di parte
BAS16-G
fabbricante
Comchip Technology
Descrizione
DIODE GEN PURP 75V 200MA SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
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Numero di parte BAS16-G
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 75V
Corrente - Rettificato medio (Io) 200mA (DC)
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.25V @ 150mA
Velocità Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Tempo di recupero inverso (trr) 6ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 1µA @ 75V
Capacità @ Vr, F 2pF @ 0V, 1MHz
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23-3
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C

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