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| Numero di parte | TPCP8005-H(TE85L,F |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 840mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PS-8 (2.9x2.4) |
| Pacchetto / caso | 8-SMD, Flat Lead |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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TPCP8001-H(TE85LFM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8 | 0 | Dettagli | |
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TPCP8003-H(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8 | 0 | Dettagli | |
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TPCP8004(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8 | - | 0 | Dettagli |
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TPCP8005-H(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A PS-8 | - | 0 | Dettagli |