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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TPCP8005-H(TE85L,F |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 30V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 11A (Ta) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 2150pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 840mW (Ta) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 12.9 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PS-8 (2.9x2.4) |
| Paket / Fall | 8-SMD, Flat Lead |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TPCP8001-H(TE85LFM | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 7.2A PS-8 | 0 | Einzelheiten | |
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TPCP8003-H(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 100V 2.2A PS-8 | 0 | Einzelheiten | |
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TPCP8004(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 8.3A PS-8 | - | 0 | Einzelheiten |
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TPCP8005-H(TE85L,F | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 30V 11A PS-8 | - | 0 | Einzelheiten |