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| Numero di parte | TSM045NB06CR RLG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 104A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6870pF @ 30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-PDFN (5x6) |
| Pacchetto / caso | 8-PowerTDFN |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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TSM045NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN | - | 212946 | Dettagli |
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TSM045NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH | - | 100519 | Dettagli |