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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | TSM045NB06CR RLG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 60V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 16A (Ta), 104A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 5 mOhm @ 16A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 104nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6870pF @ 30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 3.1W (Ta), 136W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | 8-PDFN (5x6) |
| Paket / Fall | 8-PowerTDFN |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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TSM045NA03CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET N-CH 30V 108A 8PDFN | - | 212946 | Einzelheiten |
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TSM045NB06CR RLG | Taiwan Semiconductor Corporation | MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH | - | 100519 | Einzelheiten |