STWA48N60DM2

MOSFET
STWA48N60DM2 P1
STWA48N60DM2 P1
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STMicroelectronics ~ STWA48N60DM2

Numero di parte
STWA48N60DM2
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- STWA48N60DM2 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte STWA48N60DM2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 79 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (massimo) ±25V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 100V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247 Long Leads
Pacchetto / caso TO-247-3

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