STWA48N60DM2

MOSFET
STWA48N60DM2 P1
STWA48N60DM2 P1
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STMicroelectronics ~ STWA48N60DM2

Artikelnummer
STWA48N60DM2
Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer STWA48N60DM2
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 600V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 79 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 70nC @ 10V
Vgs (Max) ±25V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3250pF @ 100V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 300W (Tc)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Lieferantengerätepaket TO-247 Long Leads
Paket / Fall TO-247-3

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